公司在半导体激光器外延技术上持续创新，可实现高密度 InAs/GaAs 量子点有源区，并能够对量子点的密度、尺寸和位置分布进行设计与调控。公司激光二极管可在-40~220℃的极端温度下无制冷工作；因极强的抗光反射特性，可实现无光隔离器工作；此外还具备阈值电流密度低等优点。量子点激光二极管适用于车载、厂矿等要求耐高温的场所，也是数据中心， Si 光子集成的优选。